什么是絕緣電阻和漏電流？

　　在測(cè)試過(guò)程中，按下測(cè)試按鈕產(chǎn)生的高直流電壓將導(dǎo)致?。ㄎ玻╇娏髁鬟^(guò)導(dǎo)體和絕緣層。電流量取決于施加的電壓量、系統(tǒng)的電容、總電阻和材料的溫度。對(duì)于固定電壓，電流越大，電阻越低（E=IR，R=E/I）。總電阻是導(dǎo)體的內(nèi)阻（小值）加上以 MO 為單位的絕緣電阻的總和。

　　儀表上讀取的絕緣電阻值將是以下三個(gè)獨(dú)立子電流的函數(shù)。

　　傳導(dǎo)泄漏電流 (I L )傳導(dǎo)電流是通常流過(guò)絕緣層、導(dǎo)體之間或從導(dǎo)體到地的少量（微安）電流。該電流隨著絕緣的惡化而增加，并在吸收電流（見(jiàn)圖 1）消失后變得占主導(dǎo)地位。因?yàn)樗喈?dāng)穩(wěn)定且與時(shí)間無(wú)關(guān)，所以這是測(cè)量絕緣電阻的最重要的電流。

　　當(dāng)前組件

　　容性充電泄漏電流 (I C )當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)體一起在滾道中運(yùn)行時(shí)，它們充當(dāng)電容器。由于這種電容效應(yīng)，泄漏電流會(huì)流過(guò)導(dǎo)體絕緣層。當(dāng)施加直流電壓時(shí)，該電流僅持續(xù)幾秒鐘，并在絕緣體充電至其*測(cè)試電壓后下降。在低電容設(shè)備中，電容電流高于傳導(dǎo)漏電流，但通常在我們開(kāi)始記錄數(shù)據(jù)時(shí)就消失了。因此，在記錄之前讓讀數(shù)“穩(wěn)定下來(lái)"很重要。另一方面，在測(cè)試高電容設(shè)備時(shí)，電容充電泄漏電流可能會(huì)持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間才能穩(wěn)定下來(lái)。

　　極化吸收漏電流 (I A )

　　吸收電流是由介電材料內(nèi)的分子極化引起的。在低電容設(shè)備中，最初幾秒鐘的電流很高，然后緩慢下降到幾乎為零。在處理高容量設(shè)備或潮濕污染的絕緣時(shí)，吸收電流長(zhǎng)時(shí)間不會(huì)下降。